IT之家 4 月 30 日音问，英特尔新任 CEO 陈立武本日在好意思国加州圣何塞举行的 Intel Foundry Direct Connect 2025 活动中亮相，详尽了公司在晶圆厂代工方法上的施展。
陈立武文书，公司当今正在与行将推出的 14A 工艺节点（1.4nm 等效）的主要客户进行战役，这是 18A 工艺节点的后续一代。
英特尔已有几个客户瞎想流片 14A 测试芯片，这些芯片当今配备了公司增强版的后头电源传输技艺，称为 PowerDirect。
如若一切按瞎想进行，14A 将成为行业首个罗致 High-NA EUV 光刻技艺的节点。台积电的 A14 竞争敌手节点预测将在 2028 年到来，但预测不会在坐蓐中使用 High-NA 技艺。
陈立武还袒露，公司的环节 18A 节点当今处于风险坐蓐阶段，预测本年晚些时刻将开动量产。
英特尔还袒露其新的 18A-P（IT之家注：18A 节点的性能版块）当今正在晶圆厂中运行，早期晶圆也已投产。
此外，英特尔官宣正在建设新的 18A-PT 版块，该版块搭救 Foveros Direct 3D，罗致搀杂键合互连，使英特尔好像在其起头进的跨越节点上垂直堆叠晶圆。
Foveros Direct 3D 技艺是一个环节的发展，因为它提供了一种竞争敌手台积电已在坐蓐中使用的功能，最知名的是 AMD 的 3D V-Cache 居品。事实上，英特尔在环节互连密度测量方面的完了与台积电的居品相匹配。
在老到的节点方面，英特尔晶圆厂当今有了首个 16nm 量产晶圆，该公司当今也在与联电互助建设 12nm 节点。
凭据英特尔的官方路子图，18A-P 将在 2026 年推出，18A-PT 要比及 2028 年。此外，14A 将在 2027 年到来，还会有 14A-E 工艺。
封装方面，英特尔晶圆厂提供基于英特尔 14A 在英特尔 18A-PT 上的系统级集成，通过 Foveros Direct（3D 堆叠）和镶嵌式多芯片互连桥接（2.5D 桥接）相接。
新的高等封装技艺居品包括 EMIB-T，以完了将来的高带宽内存需求，以及 Foveros 架构的两个新补充：Foveros-R 和 Foveros-B，为主顾提供特等的生动选项。
制造方面开云(中国)Kaiyun·官方网站 - 登录入口，英特尔亚利桑那州的 Fab 52 晶圆厂见效“全经过运行”，象征着通过该要津加工了第一块晶圆。英特尔 18A 的大界限坐蓐将在俄勒冈州的英特尔工场开动，而亚利桑那州的制造将在本年晚些时刻扩大。
